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SiC外延生产核心设备明细表

SiC生产核心设备明细表

工艺环节 设备名称 关键参数/说明
衬底处理 全自动晶圆刷洗清洗干燥机 支持SiC硬质表面，双面刷洗+兆声波，颗粒去除率>99%
全自动清洗干燥机（Subber） 耐HF酸腐蚀，干燥残留≤0.1ppb
外延生长 高温化学气相沉积反应炉（CVD） 2台，温度≥1600℃，厚度均匀性≤±2% (4’’衬底)
高温工艺 晶圆快速退火机（RTA） 温度≥1700℃，He气氛防SiC分解，温控±5℃
缺陷检测 光学表面缺陷分析仪 2台，激光扫描+深紫外光源，缺陷灵敏度≤0.2μm
光致发光（PL）光谱仪 紫外激发光源（波长<380nm），自动Mapping功能
时间分辨光谱（TRPL） 时间分辨率<100ps，用于载流子寿命分析
材料表征 傅立叶变换红外吸收光谱仪（FTIR） 光谱范围400-4000cm⁻¹，分辨率≤0.5cm⁻¹
载流子浓度分析仪（HgCV） 测试范围 1e14~1e19 cm⁻³，自动探针台
少子寿命测试仪 μ-PCD模式，寿命检测范围0.1μs~10ms
微观分析 原子力显微镜（AFM） 扫描范围100μm×100μm，纵向分辨率0.1nm
扫描电子显微镜（SEM） 分辨率≤1nm，配备EDS能谱仪
透射电子显微镜（TEM） 加速电压≥200kV，晶格分辨率0.1nm
结晶质量 X射线衍射仪（XRD） 高分辨率摇摆曲线（FWHM≤20 arcsec）
拉曼光谱仪 532nm/325nm激光，光谱分辨率≤0.5cm⁻¹
表面质量 平整度测试仪（ADE） 全自动扫描，TTV≤3μm (6’’ wafer)
污染控制 电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS） 检测限≤0.01ppt（金属杂质）
封装 全自动真空封装机 真空度≤10⁻⁵ Torr，兼容6-8英寸晶圆
工程辅助 纯水系统（UPW） 18.2 MΩ·cm，TOC≤1ppb
高纯特气供应系统 N₂/H₂/Ar纯度≥99.9999%
防振台 隔振频率≤2Hz（用于TEM/AFM）
办公支持 MES生产管理系统 实时追踪SiC工艺参数（温度/厚度/缺陷率）
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