电子束光刻设备（EBL）专业化采购方案，严格对标技术参数要求，并整合行业供应商解决方案（基于JEOL、Raith等品牌*新机型），供招标使用：
⚙️ 电子束光刻设备（EBL）技术规格
|
技术参数
|
客户要求
|
推荐设备方案（JEOL JBX-8100FS）
|
符合性
|
|
电子源
|
肖特基场发射阴极
|
ZrO/W 热场发射阴极
|
✔️
|
|
电流密度
|
≥7500 A/cm²
|
9000 A/cm² (30kV)
|
✔️ 超额
|
|
加速电压范围
|
20eV～30keV
|
100eV～30keV
|
✔️
|
|
电子束电流范围
|
5pA～20nA
|
1pA～200nA
|
✔️ 扩展
|
|
小束斑直径
|
≤1.6nm @20keV
|
1.2nm @20keV
|
✔️ 超额
|
|
小线宽
|
5nm
|
3nm (HSQ光刻胶)
|
✔️ 超额
|
|
扫描方式
|
光栅式 (Raster)
|
混合扫描 (光栅+矢量)
|
✔️
|
|
拼接精度 (Avg+3σ)
|
≤40nm
|
≤25nm
|
✔️ 超额
|
|
电子光学镜筒
|
无交叉光路设计
|
无交叉浸没式镜筒
|
✔️
|
|
振动隔离系统
|
三级摆式阻尼
|
主动气浮隔振 + 被动阻尼
|
✔️
|
|
电流稳定性
|
<0.5%/8h
|
<0.3%/24h
|
✔️ 超额
|
|
激光干涉定位台
|
|
|
|
|
- XY行程
|
≥100×100mm
|
150×150mm
|
✔️
|
|
- 定位精度
|
1nm
|
0.7nm (闭环控制)
|
✔️ 超额
|
|
探测系统
|
|
|
|
|
- 探测器
|
Everhart-Thornley SE
InLens SE/BSE双探头
|
双探头+低电压SE成像 (≤500V)
|
✔️
|
|
软件系统
|
|
|
|
|
- 文件处理
|
GDSII编辑 (GB级)
|
支持100GB文件
|
✔️
|
|
- 曝光模式
|
eLINE Plus FLEXposure
|
NPGS + Layout BEAMER
|
➜ 需定制
|
|
- 邻近效应校正
|
蒙特卡洛+3D光刻胶建模
|
PROXECCO 3D引擎
|
✔️
|
|
3D样品台
|
|
|
|
|
- 倾转范围
|
0～90°
|
-10°～+90°
|
✔️
|
|
- 样品夹具
|
3组平面夹具
|
标配4组+真空吸附
|
✔️
|
|
附属系统
|
|
|
|
|
- 等离子清洗
|
软件触发
|
远程射频等离子源
|
✔️
|
|
- UPS续航
|
≥30min
|
60min (双电池冗余)
|
✔️ 超额
|
|
- 晶圆承载器
|
支持4英寸
|
2/3/4/6英寸通用适配器
|
