TESCAN 高性能场发射扫描电镜（FE-SEM）High-Resolution Analytical FEG-SEM
产品型号：MIRA
简介介绍：TESCAN MIRA 是第四代高性能场发射扫描电镜（FE-SEM），通过 肖特基场发射电子枪（寿命≥2年）与 Essence™ 一体化操作软件的协同设计，实现了形貌成像与元素分析的无缝切换，成为亚微米级材料表征（质量控制、失效分析、常规检测）的高效解决方案
详情介绍
TESCAN MIRA 高分辨分析型场发射扫描电子显微镜
TESCAN 高性能场发射扫描电镜核心功能
用于常规材料亚微米级表征、研究和质量控制的高精度分析解决方案
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第四代光学系统：配置高亮度肖特基场发射电子枪（预期寿命≥2年）
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无缝模式切换：通过Essence™软件实现SEM成像与实时元素分析同步操作
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智能对中技术：无需镜筒元件机械对中即可切换成像/分析模式
TESCAN 高性能场发射扫描电镜核心规格
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模块
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TESCAN 高性能场发射扫描电镜参数详情
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电子光学
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• 束流范围：2 pA - 400 nA（连续可调）
• 着陆能量：200 eV - 30 keV（BDT*选件可至50 eV）
• 放大倍率：2 - 1,000,000×
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分辨率
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高真空模式
• 1.2 nm @ 30 keV (SE)
• 1.0 nm @ 30 keV (In-Beam SE*)
低真空模式
• 2.0 nm @ 30 keV (BSE*)
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样品室
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• LM型设计（Ø230 mm）
• ≥12个扩展接口
• 红外监控系统（标配双摄像头*）
• 可伸缩探测器（手动/马达驱动）
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TESCAN MIRA High-Resolution Analytical FEG-SEM
For sub-micron characterization, research, and quality control of conventional materials
Innovative Technology
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4th Gen Optical Design: Equipped with high-brightness Schottky FEG (service life ≥2 years)
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Integrated Operation: Simultaneous SEM imaging & real-time elemental analysis via Essence™ software
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Zero-Alignment Switching: Seamless transition between imaging/analytical modes without mechanical realignment
Technical Specifications
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Module
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Parameters
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Electro-Optics
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• Beam current: 2 pA to 400 nA (continuously adjustable)
• Landing energy: 200 eV - 30 keV (50 eV with BDT* option)
• Magnification: 2 - 1,000,000×
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Resolution
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High Vacuum Mode
• 1.2 nm @ 30 keV (SE)
• 1.0 nm @ 30 keV (In-Beam SE*)
Low Vacuum Mode
• 2.0 nm @ 30 keV (BSE*)
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Sample Chamber
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• LM chamber design (Ø230 mm)
• 12+ ports
• Dual IR cameras* for real-time monitoring
• Retractable detectors (manual/motorized)
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