TESCAN MAGNA 超高分辨场发射扫描电子显微镜 (FESEM)
TESCAN 超高分辨场发射扫描电子显微镜 (专为纳米材料表征设计)

• 核心镜筒： 采用独特的 TriLens 镜筒设计 (Triglav™ 超高分辨场发射镜筒)。

• 电子枪： 肖特基场发射电子枪，预期使用寿命 ≥ 2 年。

• 光学系统： TriLens 镜筒采用独特的三物镜设计。

• 探测器系统：

  • 样品室内： 二次电子 (SE) 探测器、背散射电子 (BSE) 探测器*

  • 镜筒内： 二次电子 (SE) 探测器、背散射电子 (BSE) 探测器、中角背散射电子 (BSE) 探测器

• 电子束着陆能量： 200 eV - 30 keV (减速模式下可低至 < 50 eV*)。

• 束斑优化： 通过电磁光阑实现束斑尺寸

• 探针电流： 2 pA - 400 nA，连续可调。

• 视野范围 (FOV)：

  • 4.3 mm @ 工作距离 (WD) = 5 mm (典型分析工作距离)

  • 7 mm @ WD = 30 mm

• TESCAN 超高分辨场发射扫描电子显微镜 放大倍率： 4 倍 - 2,000,000 倍。

• 分辨率：

  • 1.2 nm @ 1 keV

  • 0.9 nm @ 1 keV (减速模式*)

  • 0.6 nm @ 15 keV

  • 0.5 nm @ 30 keV (使用 STEM 探测器*)

  • 1.5 nm @ 30 keV (使用 GSD 探测器*) - 低真空模式

  • 3.0 nm @ 3 keV (使用 GSD 探测器*) - 低真空模式

    TESCAN MAGNA Ultra-High Resolution Field Emission Scanning Electron Microscope (FESEM)
    (Designed for Nanomaterial Characterization)

    • Core Column: Features the unique TriLens™ column design (Triglav™ Ultra-High Resolution FE column).

    • Electron Gun: Schottky Field Emission electron gun with a guaranteed minimum service life of ≥ 2 years.

    • Optics: TriLens column incorporates a unique triple-objective lens system.

    • Detector System:

      • In-Chamber: Secondary Electron (SE) detector, Backscattered Electron (BSE) detector*

      • In-Column: Secondary Electron (SE) detector, Backscattered Electron (BSE) detector, Medium-Angle Backscattered Electron (BSE) detector

    • Beam Landing Energy: 200 eV - 30 keV (down to < 50 eV* in Beam Deceleration mode).

    • Probe Optimization: Probe size optimization via electromagnetic apertures.

    • Probe Current: 2 pA - 400 nA, continuously adjustable.

    • Field of View (FOV):

      • 4.3 mm @ Working Distance (WD) = 5 mm (Typical analytical WD)

      • 7 mm @ WD = 30 mm

    • Magnification: 4x - 2,000,000x.

    • Resolution:

      • 1.2 nm @ 1 keV

      • 0.9 nm @ 1 keV (Beam Deceleration mode*)

      • 0.6 nm @ 15 keV

      • 0.5 nm @ 30 keV (with STEM detector*)

      • 1.5 nm @ 30 keV (with GSD detector*) - Low Vacuum mode

      • 3.0 nm @ 3 keV (with GSD detector*) - Low Vacuum mode