产品资料
ICP-RIE Plasma Etcher感应耦合等离子刻蚀机
产品型号：SI-500
简介介绍：

SI 500为研发和生产提供先进的电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的先进的SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是SI 500主要的设计特点

详情介绍


SI-500 ICP-RIE 等离子刻蚀系统

核心技术

1. 超低损伤刻蚀

  • 窄离子能量分布（<5eV 典型值）

  • 纳米级结构刻蚀能力（深宽比>50:1）

  •  PTSA三螺旋天线等离子源：
    ⚡️ 高密度等离子体（10¹² ions/cm³）
    ⚡️ 低离子能量（<20eV）
    ⚡️ 95%耦合效率与稳定起辉

2. 高速高精度工艺

  • MEMS硅刻蚀速率 ≥10 μm/min

  • 室温/低温双模式：

    • 气体切换工艺 → 光滑侧壁（Ra<5nm）

    • 低温工艺（-150°C） → 各向异性增强

3. 动态温控电极

  • -150°C ~ +400°C 宽域控温

  • 氦背冷 + 晶圆背面实时测温

  • 温度波动 ≤±1°C（@300mm晶圆）

系统架构优势

模块 技术配置
真空系统 全自动压力控制（0.1-1000 mTorr）・预真空室快速工艺切换
控制软件 SENTECH 智能控制系统・远程现场总线・配方管理（≥200组）
扩展架构 模块化多腔体集群（1-6工艺模块）・晶圆尺寸≤200mm・兼容异形载具

材料工艺覆盖

材料类型 典型应用
半导体 GaAs/InP/GaN/SiC/SiGe 器件刻蚀
介质 SiO₂/石英/玻璃微纳结构
金属 Al/Ti/W 电极图案化

SI-500 ICP-RIE Plasma Etcher

Core Technology Breakthroughs

1. Ultra-Low Damage Etching

  • Narrow IED (<5eV typ.)

  • Nanoscale feature etching (Aspect Ratio>50:1)

  • Patented PTSA Triplex Antenna Source:
    ⚡️ High-density plasma (10¹² ions/cm³)
    ⚡️ Low ion energy (<20eV)
    ⚡️ 95% coupling efficiency & stable ignition

2. High-Speed Precision Etching

  • MEMS Si etch rate ≥10 μm/min

  • Dual-mode operation:

    • Gas-switching → Smooth sidewalls (Ra<5nm)

    • Cryogenic (-150°C) → Enhanced anisotropy

3. Dynamic Thermal Chuck

  • -150°C ~ +400°C range

  • He backside cooling + real-time wafer temp monitoring

  • Thermal stability ≤±1°C (@300mm wafer)

System Architecture

Module Configuration
Vacuum Auto pressure control (0.1-1000 mTorr)・Load-lock for fast process change
Control SENTECH smart OS・Fieldbus interface・Recipe management (≥200 recipes)
Scalability Modular cluster (1-6 chambers)・Wafer size≤200mm・Irregular carrier support

Material Capabilities

Material Class Applications
Semiconductor GaAs/InP/GaN/SiC/SiGe device etching
Dielectrics SiO₂/quartz/glass microstructuring
Metals Al/Ti/W electrode patterning




粤公网安备 44030702002241号