核心设备:MOCVD外延炉
工艺流程:
衬底选择:蓝宝石/SiC/GaN等
外延生长:通过MOCVD技术在衬底上沉积多层结构(n区→发光区→p区)
透明导电层:在p区表面镀制ITO等透明导电层
核心设备:光刻机、刻蚀机、离子注入机
光刻:定义P/N电极图形
刻蚀/离子注入:形成电极区域
金属蒸镀:沉积电极金属(Au/Pt/Al等)
核心设备:激光划片机、裂片机
流程:将外延片切割成独立芯片,分选后进入封装环节
焊料印刷
设备:高精度锡膏印刷机
工艺:钢网定位印刷,控制锡膏厚度与均匀性
灯珠贴装
设备:富士高速贴片机(多吸嘴并行)
精度:±0.025mm,支持01005微型元件
回流焊接
设备:氮气保护回流焊炉
曲线控制:预热→恒温→回流→冷却(按锡膏规格设定)
芯片制造
MOCVD外延层厚度精度控制±3%
激光切割崩边率<0.1%
封装关键点
焊线拉力强度>8gf(金线)/5gf(铜线)
封胶气泡率<0.5%(真空脱泡工艺)
SMT良率保障
锡膏印刷SPI 3D检测 → 贴装后AOI全检 → 回流焊后X-Ray抽检
总结:从外延生长到SMT贴装,LED制造需协同芯片工艺(材料与电极)、封装技术(固晶/焊线/胶体)、及自动化SMT(印刷/贴片/焊接)三大环节。核心设备如MOCVD、焊线机、分光机的精度直接决定产品性能和一致性
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