离子研磨仪Hitachi Ion Milling System IM4000Ⅱ Standard Model
产品型号：IM4000II
简介介绍：日立离子研磨仪标准机型IM4000Ⅱ能够进行截面研磨和平面研磨。还可通过低温控制及真空转移等各种选配功能，针对不同样品进行截面研磨
详情介绍
日立离子研磨仪 IM4000Ⅱ 标准机型
核心参数
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类别
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参数说明
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基础配置
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工作气体
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氩气（Ar）
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气体流量控制
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质量流量控制（MFC）
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加速电压范围
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0.0–6.0 kV
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设备尺寸
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616 mm (宽) × 736 mm (深) × 312 mm (高)
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设备重量
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主机53 kg + 机械泵30 kg
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截面研磨功能
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研磨速率（硅材料）
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≥500 µm/h¹
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样品尺寸上限
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20 mm (宽) × 12 mm (深) × 7 mm (高)
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样品移动范围
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X轴: ±7 mm；Y轴: 0–+3 mm
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离子束脉冲加工
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开关时间设定：1秒–59分59秒
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束流摆动角度
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±15° / ±30° / ±40°
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平面研磨功能
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加工范围
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Ø32 mm
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样品尺寸上限
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Ø50 mm × 25 mm (高)
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样品移动范围
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X轴: 0–+5 mm
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离子束脉冲加工
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开关时间设定：1秒–59分59秒
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样品旋转速度
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1 rpm / 25 rpm
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束流摆动角度
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±60° / ±90°
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样品台倾斜角度
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0°–90°
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低温控制²
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液氮间接冷却（温度范围：0°C至-100°C）
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硬质合金挡板
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寿命为标准钴挡板的2倍
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观察显微镜
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15×–100×；双目/三目（支持CCD）
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¹ 基于硅材料测试数据
² 选配功能
Hitachi Ion Milling System IM4000Ⅱ Standard Model
Key Specifications
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Category
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Parameter
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Base Configuration
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Process Gas
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Argon (Ar)
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Gas Flow Control
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Mass Flow Controller (MFC)
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Acceleration Voltage
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0.0–6.0 kV
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Dimensions
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616 mm (W) × 736 mm (D) × 312 mm (H)
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Weight
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Main unit 53 kg + Pump 30 kg
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Cross-Section Milling
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Milling Rate (Si)
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≥500 µm/h¹
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Max Sample Size
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20 mm (W) × 12 mm (D) × 7 mm (H)
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Stage Travel
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X: ±7 mm; Y: 0–+3 mm
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Pulsed Ion Beam
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On/Off time: 1 s–59 min 59 s
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Beam Oscillation
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±15° / ±30° / ±40°
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Planar Milling
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Processing Area
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Ø32 mm
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Max Sample Size
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Ø50 mm × 25 mm (H)
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Stage Travel
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X: 0–+5 mm
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Pulsed Ion Beam
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On/Off time: 1 s–59 min 59 s
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Rotation Speed
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1 rpm / 25 rpm
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Beam Oscillation
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±60° / ±90°
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Stage Tilt
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0°–90°
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Advanced Features
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Cryogenic Control²
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LN₂ indirect cooling (0°C to -100°C)
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Cemented Carbide Shield
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2× longer lifetime vs. standard Co shields
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Observation Microscope
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15×–100× magnification; Binocular/Trinocular (CCD compatible)
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¹ Measured on silicon substrate
² Optional feature
